GaInNAs(Sb) surface normal devices
GaInNAs(Sb) surface normal devices
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GaInNAs(Sb)表面法线器件
DOI：
10.1002/pssa.200777460
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Calvez S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Calvez S
经过十年对GaInNAs（Sb）/GaAs合金的深入研究，本文总结了这些III-V族合金的一些关键特性，并介绍了它们在各种表面正常工作器件（如垂直（外）腔表面发射激光器（V（E）CSELs）和半导体可饱和吸收镜（SESAM））中的开发进展。（© 2008 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA，魏因海姆）
After a decade of intensive research on GaInNAs(Sb) on GaAs alloys, this paper summarizes some of the key properties of these III–V alloys and presents current progress in their exploitation in a variety of surface‐normal operating devices such as Vertical (External)‐Cavity Surface‐Emitting Lasers (V(E)CSELs) and SEmiconductor Saturable Absorber Mirrors (SESAMs). (© 2008 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)
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影响因子：
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通讯作者：
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影响因子：
1.1
作者：
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通讯作者：
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DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
A. Joel
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影响因子：
3.6
作者：
H. Lindberg;M. Sadeghi;M. Westlund;Shumin Wang;A. Larsson;M. Strassner;S. Marcinkevičius
通讯作者：
S. Marcinkevičius
DOI：
10.1143/jjap.35.1273
发表时间：
1996-02-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Kondow, M;Uomi, K;Yazawa, Y
通讯作者：
Yazawa, Y