Growth of InN/InGaN Quantum Well Structures by RF-MBE
Growth of InN/InGaN Quantum Well Structures by RF-MBE
复制标题
通过 RF-MBE 生长 InN/InGaN 量子阱结构
DOI：
--
复制
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y.Nanishi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M.Kurouchi;H.Naoi;T.Araki;T.Miyajima;Y.Nanishi
登录
查看更多内容
DOI：
10.1002/pssc.200461386
发表时间：
2005-05
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
H. Yaguchi;Y. Kitamura;K. Nishida;Y. Iwahashi;Y. Hijikata;S. Yoshida
通讯作者：
H. Yaguchi;Y. Kitamura;K. Nishida;Y. Iwahashi;Y. Hijikata;S. Yoshida
氮等离子体与液态铟反应生长的InN微晶的晶格参数、密度和热膨胀
DOI：
10.1080/01418619908210352
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
W. Paszkowicz;J. Adamczyk;S. Krukowski;M. Leszczynski;S. Porowski;J. Sokołowski;M. Michalec;W. Łasocha
通讯作者：
W. Łasocha
(111)硅衬底上低温外延生长3C-SiC
影响因子：
1.8
作者：
Y. Hirabayashi;Ken Kobayashi;S. Karasawa
通讯作者：
S. Karasawa
结构特性对MBE生长InN电导率和发光的影响
影响因子：
1.8
作者：
P. Specht;R. Armitage;J. Ho;E. Gunawan;Qing Yang;X. Xu;C. Kisielowski;E. Weber
通讯作者：
E. Weber
Ga 面 GaN (0001) 上生长的 InN 的成核、形貌和残余应变之间的相关性
影响因子：
1.8
作者：
E. Dimakis;E. Dimakis;K. Tsagaraki;K. Tsagaraki;E. Iliopoulos;E. Iliopoulos;P. Komninou;T. Kehagias;A. Delimitis;A. Georgakilas;A. Georgakilas
通讯作者：
A. Georgakilas