Sputtering Growth of Metal Oxynitride Semiconductors for Excitonic Devices
Sputtering Growth of Metal Oxynitride Semiconductors for Excitonic Devices
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用于激子器件的金属氮氧化物半导体的溅射生长
DOI：
10.1109/edtm50988.2021.9420921
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Shiratani Masaharu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Narishige Ryota;Itagaki Naho;Shiratani Masaharu
研究了衬底表面极性对溅射沉积(ZnO)x(InN)1-x(以下简称“锡安”)薄膜生长的影响。采用射频磁控溅射方法在锌面和O面的氧化锌衬底上沉积了锡安薄膜。在锌面衬底上的Zion薄膜表面粗糙，均方根(RMS)粗糙度为4.30 nm，而在O面氧化锌衬底上的Zion薄膜表面光滑，RMS粗糙度为2.71 nm。这一结果归因于衬底表面锌离子迁移率的差异。
Effects of substrate surface polarity on the growth of sputter-deposited (ZnO)x(InN)1-x(called “ZION” hereinafter) films have been investigated. ZION films were deposited on Zn-face and O-face ZnO substrates by radio-frequency magnetron sputtering. The ZION film on the Zn-face substrate has rough surface with the root mean square (RMS) roughness of 4.30 nm, whereas, the ZION film on O-face ZnO substrate has smooth surface with the RMS roughness of 2.71 nm. This result is attributed to the difference in Zn mobility on the substrate surfaces.
DOI：
10.1002/pssb.200304189
发表时间：
2004-03
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
--
作者：
H. Kato;M. Sano;K. Miyamoto;T. Yao
通讯作者：
H. Kato;M. Sano;K. Miyamoto;T. Yao
在整个可见光谱范围内带隙可调的 ZnO 基半导体的溅射生长
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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作者：
井手智章;松島宏一;清水僚太;山下大輔;徐鉉雄;古閑一憲;白谷正治;板垣奈穂;板垣奈穂;Naho Itagaki;N. Itagaki
通讯作者：
N. Itagaki
撤回：外延 ZnO 薄膜生长中的衬底制备
影响因子：
1.8
作者：
Shen Zhu;C. Su;S. Lehoczky;M. Harris;M. Callahan;P. McCarty;M. George
通讯作者：
M. George