Sputtering Growth of ZnO-based semiconductors with Band Gap Tunability over the Entire Visible Spectrum
Sputtering Growth of ZnO-based semiconductors with Band Gap Tunability over the Entire Visible Spectrum
复制标题
在整个可见光谱范围内带隙可调的 ZnO 基半导体的溅射生长
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Itagaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
井手智章;松島宏一;清水僚太;山下大輔;徐鉉雄;古閑一憲;白谷正治;板垣奈穂;板垣奈穂;Naho Itagaki;N. Itagaki
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影响因子：
41.2
作者：
Tsukazaki, A;Ohtomo, A;Kawasaki, M
通讯作者：
Kawasaki, M
影响因子：
2.1
作者：
O. Vigil;L. Vaillant;F. Cruz;G. Santana;A. Morales-Acevedo;G. Contreras-Puente
通讯作者：
O. Vigil;L. Vaillant;F. Cruz;G. Santana;A. Morales-Acevedo;G. Contreras-Puente
GaN 及相关化合物作为宽禁带半导体的现状
DOI：
10.1016/0022-0248(92)90496-6
发表时间：
1992
期刊：
Sixth International Conference Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
影响因子：
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作者：
T. Matsuoka
通讯作者：
T. Matsuoka
影响因子：
4
作者：
YOSHIMOTO, N;MATSUOKA, T;KATSUI, A
通讯作者：
KATSUI, A
影响因子：
2.3
作者：
Itagaki, Naho;Kuwahara, Kazunari;Shiratani, Masaharu
通讯作者：
Shiratani, Masaharu