Controlled domain wall pinning in nanowires with perpendicular magnetic anisotropy by localized fringing fields
Controlled domain wall pinning in nanowires with perpendicular magnetic anisotropy by localized fringing fields
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通过局部边缘场控制具有垂直磁各向异性的纳米线中的畴壁钉扎
DOI：
10.1063/1.4864737
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发表时间：
2014
影响因子：
3.2
通讯作者：
Becherer
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Breitkreutz;Eichwald;Kiermaier;Hiblot;Schmitt-Landsiedel;Becherer
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影响因子：
3.2
作者：
Breitkreutz, Stephan;Kiermaier, Josef;Becherer, Markus
通讯作者：
Becherer, Markus
影响因子：
2.1
作者：
Breitkreutz, Stephan;Kiermaier, Josef;Becherer, Markus
通讯作者：
Becherer, Markus
具有垂直磁各向异性的纳米线中畴壁的受控钉扎和脱钉
DOI：
10.1088/0953-8984/24/2/024208
发表时间：
2012
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
T. Gerhardt;A. Drews;G. Meier
通讯作者：
G. Meier
使用新型 5 输入多数门的垂直纳米磁逻辑 1 位全加器
DOI：
10.1051/epjconf/20147505001
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
Breitkreutz;Eichwald;Kiermaier;Niemier;Schmitt-Landsiedel;Becherer
通讯作者：
Becherer