Hydrogen incorporation tungsten oxide films deposited by RF plasma
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射频等离子体沉积的掺氢氧化钨薄膜
DOI:
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发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
井上 愛知
中科院分区:
文献类型:
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作者:
A. Inouye;S. Yamamoto;S. Nagataほか;S.Nagata ほか;永田 晋二;井上 愛知
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影响因子:
3.1
作者:
S. Nagata;B. Tsuchiya;N. Ohtsu;T. Sugawara;T. Shikama;K. Tokunaga;M. Takenaka;E. Kuramoto
通讯作者:
E. Kuramoto
影响因子:
1.7
作者:
A. Raffray;G. Federici;A. Hassanein;D. Haynes
通讯作者:
D. Haynes
影响因子:
3.1
作者:
K. Sugiyama;T. Hayashi;K. Krieger;M. Mayer;K. Masaki;N. Miya;T. Tanabe
通讯作者:
K. Sugiyama;T. Hayashi;K. Krieger;M. Mayer;K. Masaki;N. Miya;T. Tanabe
影响因子:
3.1
作者:
K. Ochiai;T. Hayashi;C. Kutsukake;Y. Gotoh;K. Masaki;T. Arai;N. Miya;T. Nishitani
通讯作者:
T. Nishitani
影响因子:
2.1
作者:
S. Chao;D. Pawlik;J. González;Qi Wang;D. Allred
通讯作者:
D. Allred