Bismuth-induced phase control of GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy
Bismuth-induced phase control of GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy
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分子束外延生长的砷化镓纳米线的铋诱导相位控制
DOI：
10.1063/1.4898702
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发表时间：
2014-10
影响因子：
4
通讯作者：
Wei Lu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chen Zhou;Xiaohao Zhou;Jin Zou;Wei Lu
在本工作中，在不改变生长温度和V/III流量比的情况下，用分子束外延生长的GaAs纳米线的晶体结构只用铋来调整。铋的引入可以形成闪锌矿结构的GaAs纳米线，而铋的去除使纳米线的结构转变为4H多型性，最终转变为纤锌矿相。理论计算表明，与液态金催化剂表面和金催化剂液滴与纳米线的界面相比，铋在GaAs(111)B表面的吸附最稳定，吸附的铋可以缩短吸附的镓的扩散长度，从而降低镓在金催化剂液滴中的过饱和度。
In this work, the crystal structure of GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy has been tailored only by bismuth without changing the growth temperature and V/III flux ratio. The introduction of bismuth can lead to the formation of zinc-blende GaAs nanowires, while the removal of bismuth changes the structure into a 4H polytypism before it turns back to the wurtzite phase eventually. The theoretical calculation shows that it is the steadiest for bismuth to adsorb on the GaAs(111)B surface compared to the liquid gold catalyst surface and the interface between the gold catalyst droplet and the nanowire, and these adsorbed bismuth could decrease the diffusion length of adsorbed Ga and hence the supersaturation of Ga in the gold catalyst droplet.
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影响因子：
2.7
作者：
Tsai C. Thomas;R. S. Williams
通讯作者：
Tsai C. Thomas;R. S. Williams
DOI：
10.1103/physrevb.48.8502
发表时间：
1993-09
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Massies;Grandjean
通讯作者：
Massies;Grandjean
影响因子：
10.8
作者：
Algra, Rienk E.;Verheijen, Marcel A.;Bakkers, Erik P. A. M.
通讯作者：
Bakkers, Erik P. A. M.
影响因子：
10.8
作者：
Offermans, Peter;Crego-Calama, Mercedes;Brongersma, Sywert H.
通讯作者：
Brongersma, Sywert H.
影响因子：
3.7
作者：
Duzik, Adam;Thomas, John C.;Millunchick, Joanna M.
通讯作者：
Millunchick, Joanna M.