Enhanced fluorescence from semiconductor quantum dot-labelled cells excited at 280 nm
Enhanced fluorescence from semiconductor quantum dot-labelled cells excited at 280 nm
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半导体量子点标记细胞在 280 nm 激发时发出增强的荧光
DOI：
10.1101/2021.11.08.467709
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
McFarlane M
中科院分区：
文献类型：
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作者：
McFarlane M
半导体量子点（QD）与荧光显微镜中使用的更传统的荧光团相比具有显著的优点，包括减少的光漂白、长期的光稳定性和高量子产率，但是由于光源和光学器件的限制，在深紫外中经常被远离其最佳激发波长激发。在这里，我们提出了一个定量比较的半导体量子点的激发在280 nm的波长，相比较长的波长365 nm，在细胞环境中。我们报告了使用280 nm激发时增加的荧光强度和增强的图像质量，与365 nm激发相比，用于多个数据集的细胞成像，最高平均荧光强度增加了3.59倍。我们还发现与280 nm激发相关的量子点没有显着的光漂白，并发现平均约80%的细胞可以耐受6小时内暴露于高强度280 nm照射。
Semiconductor quantum dots (QDs) have significant advantages over more traditional fluorophores used in fluorescence microscopy including reduced photobleaching, long-term photostability and high quantum yields, but due to limitations in light sources and optics, are often excited far from their optimum excitation wavelengths in the deep-UV. Here, we present a quantitative comparison of the excitation of semiconductor QDs at a wavelength of 280 nm, compared to the longer wavelength of 365 nm, within a cellular environment. We report increased fluorescence intensity and enhanced image quality when using 280 nm excitation compared to 365 nm excitation for cell imaging across multiple datasets, with a highest average fluorescence intensity increase of 3.59-fold. We also find no significant photobleaching of QDs associated with 280 nm excitation and find that on average,∼ 80% of cells can tolerate exposure to high-intensity 280 nm irradiation over a 6-hour period.
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