Ge-fraction-dependent metal-induced lateral crystallization of amorphous-Si1-xGex (0≦x≦1) on SiO2
Ge-fraction-dependent metal-induced lateral crystallization of amorphous-Si1-xGex (0≦x≦1) on SiO2
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SiO2 上非晶 Si1-xGex (0≤x≤1) 的 Ge 分数相关金属诱导横向结晶
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Kanno et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Miyao 他;M.Miyao 他;M.Miyao et al.;M.miyao et al.;M.Miyao 他;M.Miyao 他;I.Tsunoda 他;I.Tsunoda 他;宮尾 正信 他;I.Tsunoda et al.;I.Tsunoda et al.;T.Sadoh et al.;I.Tsunoda 他;I.Tsunoda 他;I.Tsunoda 他;T.Sadoh 他;T.Sadoh 他;宮尾 正信 他;H.Kanno 他;H.Kanno et al.
横向固相外延低温SOI（绝缘体上硅）形成
影响因子：
3.2
作者：
M. Miyao;M. Moniwa;K. Kusukawa;W. Sinke
通讯作者：
W. Sinke
SiO2 和玻璃上 LPCVD 沉积非晶 SiGe 薄膜的固相结晶
影响因子：
2.1
作者：
J. Olivares;A. Rodríguez;J. Sangrador;T. Rodríguez;C. Ballesteros;A. Kling
通讯作者：
A. Kling