Modulation of Schottky Barrier Height of Metal/TaN/n-Ge Junctions by Varying TaN Thickness
Modulation of Schottky Barrier Height of Metal/TaN/n-Ge Junctions by Varying TaN Thickness
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通过改变 TaN 厚度来调节金属/TaN/n-Ge 结的肖特基势垒高度
DOI：
10.1109/ted.2012.2187455
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发表时间：
2012-02
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Songyan Chen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zheng Wu;Wei Huang;Cheng Li;Hongkai Lai;Songyan Chen
This paper demonstrates experimentally the modulation of the Schottky barrier height (SBH) of metal/TaN/n-Ge junctions by varying the TaN thickness in a dual stacked metal layer. The effective SBH for the metal/TaN/n-Ge Schottky junctions, originally pinned at 0.53-0.61 eV, decays to 0.44 eV, the barrier height of TaN/n-Ge, with an increase in the TaN thickness from 0 to 10 nm, independent of the type of metal. Dipole formation at the TaN/Ge interface is proposed to alleviate the metal-induced gap states and shift the pinning level toward the conduction band. The modulation of the SBH can be ascribed to the interdiffusion between the cap metals (Al, Fe, and Ni) and TaN.
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影响因子：
4
作者：
Yi Zhou;W. Han;Yong Wang;F. Xiu;J. Zou;R. Kawakami;Kang L. Wang
通讯作者：
Yi Zhou;W. Han;Yong Wang;F. Xiu;J. Zou;R. Kawakami;Kang L. Wang
影响因子：
4
作者：
Yi Zhou;M. Ogawa;Xinhai Han;Kang L. Wang
通讯作者：
Yi Zhou;M. Ogawa;Xinhai Han;Kang L. Wang
影响因子：
4
作者：
Nishimura, Tomonori;Kita, Koji;Toriumi, Akira
通讯作者：
Toriumi, Akira
影响因子：
3.2
作者：
Ching-Huang Lu;G.M.T. Wong;R. Birringer;R. Dauskardt;M. Deal;B. Clemens;Y. Nishi
通讯作者：
Ching-Huang Lu;G.M.T. Wong;R. Birringer;R. Dauskardt;M. Deal;B. Clemens;Y. Nishi
DOI：
10.1109/iedm.2009.5424406
发表时间：
2009-12
期刊：
2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
影响因子：
--
作者：
J. Robertson;L. Lin
通讯作者：
J. Robertson;L. Lin