Kinetics of oxynitridation of 6H-SiC(1120) and the interface structure analyzed by ion scattering

Kinetics of oxynitridation of 6H-SiC(1120) and the interface structure analyzed by ion scattering
复制标题

6H-SiC(1120)氮氧化动力学及离子散射分析界面结构

DOI:
--
复制
发表时间:
2007
期刊:
Surface Science 601
影响因子:
--
通讯作者:
Y.Kido
Y.Kido
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
T.Okawa;R.Fukuyama;Y.Hoshino;T.Nishiumura;Y.Kido

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

N2O 中氧化的极性和非极性 SiC 表面的光电发射比较研究
DOI: 10.1016/j.susc.2004.01.024
发表时间: 2004
期刊: Surface Science
影响因子: 1.9
作者:
L. Johansson;C. Virojanadara;T. Eickhoff;W. Drube
通讯作者: W. Drube
6H SiC 干热氧化过程中发生的氧同位素交换
DOI: 10.1016/s0168-583x(01)01303-9
发表时间: 2002
影响因子: 1.3
作者:
I. Vickridge;D. Tromson;I. Trimaille;J. Ganem;E. Szilágyi;G. Battistig
通讯作者: G. Battistig
(112̄0) 面上生长的 4H–SiC 外延层的镜面表面形貌
DOI: 10.1143/jjap.38.l1375
发表时间: 1999
影响因子: 1.5
作者:
Z. Chen;T. Kimoto;H. Matsunami
通讯作者: H. Matsunami
6H−SiC(112´0) 的原子和电子结构
DOI: 10.1103/physrevb.68.073308
发表时间: 2003
期刊: Physical Review B
影响因子: 3.7
作者:
Y. Hoshino;S. Matsumoto;K. Ogawa;H. Namba;Y. Kido
通讯作者: Y. Kido
Si(100) 上快速热 N2O 氮氧化物
DOI: 10.1116/1.588929
发表时间: 1996
影响因子: 1.4
作者:
Z. Lu;R. J. Hussey;M. J. Graham;R. Cao;S. Tay
通讯作者: S. Tay