Characteristics of AlN growth on vicinal SiC(0001) substrated by molecular beam epitaxy
Characteristics of AlN growth on vicinal SiC(0001) substrated by molecular beam epitaxy
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分子束外延在邻位SiC(0001)衬底上生长AlN的特性
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J.Brault
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Price;P.W.;Ohgushi;T.;Roininen;H.;Ishihara;M.;Craig;T.P.;Tahvanainen;J.;Ferrier;S.M.;J.Brault
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非晶金刚石的合成、结构及应用
影响因子：
2.1
作者：
D. Mckenzie;D. Muller;E. Kravtchinskaia;D. Segal;D. Cockayne;G. Amaratunga;Rangika Thilan De Silva
通讯作者：
Rangika Thilan De Silva
DOI：
10.1007/978-3-642-93430-8_79
发表时间：
1989
期刊：
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影响因子：
--
作者：
K. Era;O. Mishima;Y. Wada;J. Tanaka;S. Yamaoka
通讯作者：
S. Yamaoka
反应性射频制备含 c-BN 薄膜
影响因子：
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作者：
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通讯作者：
M. Grischke
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影响因子：
4
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T. Friedmann;K. Mccarty;E. Klaus;D. Boehme;W. M. Clift;H. Johnsen;M. Mills;D. Ottesen
通讯作者：
D. Ottesen
AlxGa1−xN 的边缘发射
影响因子：
2.1
作者：
Mohammad Rezaul Huque Khan;Y. Koide;H. Itoh;N. Sawaki;I. Akasaki
通讯作者：
I. Akasaki