Design and Manufacture of Edge Termination in Vertical GaN Diodes: Electric Field Distribution Probed by Second Harmonic Generation
Design and Manufacture of Edge Termination in Vertical GaN Diodes: Electric Field Distribution Probed by Second Harmonic Generation
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垂直 GaN 二极管边缘终端的设计和制造：通过二次谐波产生探测电场分布
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Cao Y.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Cao Y.
影响因子：
3.1
作者：
Fu, Houqiang;Fu, Kai;Zhao, Yuji
通讯作者：
Zhao, Yuji
影响因子：
3.2
作者：
Narita, Tetsuo;Yoshida, Hikaru;Tokuda, Yutaka
通讯作者：
Tokuda, Yutaka
设计 GaN 垂直 p-i-n 二极管的斜边端接 - 斜角、掺杂和钝化
影响因子：
3.1
作者：
Ke Zeng;S. Chowdhury
通讯作者：
S. Chowdhury