First-Principles Study of Schottky Barrier Behavior at Metal/InN Interfaces
First-Principles Study of Schottky Barrier Behavior at Metal/InN Interfaces
复制标题
金属/InN 界面肖特基势垒行为的第一性原理研究
DOI：
10.1143/jjap.48.081001
复制
发表时间：
2009
影响因子：
1.5
通讯作者：
T. Nakayama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Takei;T. Nakayama
用第一性原理计算方法研究了Al/Inn和Au/Inn界面的肖特基势垒行为。结果表明，Al和Au金属的费米能都位于InN导带底部以上，电子电荷从金属层向界面附近的InN层转移。我们发现，这样的电子转移在界面周围的InN层中诱导了微观的能带弯曲。我们还估算了这些界面的本征肖特基势垒高度。
Schottky barrier behavior at Al/InN and Au/InN interfaces was investigated using first-principles calculations. It was shown that the Fermi energies of both Al and Au metals are located above the conduction-band bottom of InN, and that the electron charge transfer occurs from metal layers to InN layers around the interface. We found that such electron transfer induces microscopic band bending in InN layers around the interface. We also evaluated the intrinsic Schottky barrier heights at these interfaces.
登录
查看更多内容
超薄金属层可转换氮化物半导体的表面极性
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
phys. stat. sol. (b) 242
影响因子：
--
作者：
T. Nakayama;et. al. (partial contributor);H.Ishii;T.Nakayama;M.Oda;T.Nakayama;S.Kajita;R.Kobayashi;H. Ishii;H. Ishii;T. Nakayama;R. Kobayashi;M. Ishikawa;M. Oda;T. Nakayama
通讯作者：
T. Nakayama
Si 和 GaAs 中阶梯杆位错的原子和电子结构
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys. (印刷中)
影响因子：
--
作者：
兼安洋乃;岸木敬太(熊本大学);M. Oda;R. Kobayashi
通讯作者：
R. Kobayashi
高铟含量InGaN的脉冲激光辅助MOVPE
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
physica status solidi (a) 201
影响因子：
--
作者：
N.Kawaguchi;K.Hida;Y.Kangawa;Y.Kumagai;A.Koukitu
通讯作者：
A.Koukitu
通过 RF-MBE 在 KOH 湿法蚀刻 N 极性 InN 模板上生长高质量 InN
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
physica status solidi (a) 203
影响因子：
--
作者：
D. Muto;H. Naoi;S. Takado;T. Araki;and Y. Nanishi;Daisuke Muto;D.Muto
通讯作者：
D.Muto