Antimony based mid-infrared semiconductor materials and devices monolithically grown on silicon substrates
Antimony based mid-infrared semiconductor materials and devices monolithically grown on silicon substrates
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在硅衬底上单片生长的锑基中红外半导体材料和器件
DOI：
10.1109/ipcon.2017.8116118
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Carrington P
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Carrington P
影响因子：
4
作者：
Reboul, J. R.;Cerutti, L.;Tournie, E.
通讯作者：
Tournie, E.
影响因子：
4
作者：
Huang, S. H.;Balakrishnan, G.;Huffaker, D. L.
通讯作者：
Huffaker, D. L.