Engineering the Device Performance of PLD Grown Tantalum Oxide based RRAM Devices
Engineering the Device Performance of PLD Grown Tantalum Oxide based RRAM Devices
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设计 PLD 生长的基于氧化钽的 RRAM 器件的器件性能
DOI：
10.1109/eit57321.2023.10187322
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Tutuncuoglu, Gozde
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Moazzeni, Alireza;Chowdhury, Md Tawsif;Rouleau, Christopher;Tutuncuoglu, Gozde
影响因子：
4.6
作者：
Skaja K;Andrä M;Rana V;Waser R;Dittmann R;Baeumer C
通讯作者：
Baeumer C
影响因子：
1.9
作者：
G. Tutuncuoglu;A. Mannodi-Kanakkithodi
通讯作者：
G. Tutuncuoglu;A. Mannodi-Kanakkithodi