Analysis and Control of the Hanle Effect in MOS Inversion Channels
Analysis and Control of the Hanle Effect in MOS Inversion Channels
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MOS反转通道汉勒效应的分析与控制
DOI：
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发表时间：
2012
影响因子：
3.2
通讯作者：
S.Sugahara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Takamura;S.Sugahara
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300 K 汉勒效应自旋晶体管的分析与设计
影响因子：
1.2
作者：
Y.Takamura;S.Sugahara;Y.Takamura S.Sugahara
通讯作者：
Y.Takamura S.Sugahara
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影响因子：
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作者：
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通讯作者：
S. Sugahara
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DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
J.Appl.Phys. 97
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
M.Tanaka
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影响因子：
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通讯作者：
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