Analysis and Design of Hanle-Effect Spin Transistors at 300 K
Analysis and Design of Hanle-Effect Spin Transistors at 300 K
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300 K 汉勒效应自旋晶体管的分析与设计
DOI：
10.1109/lmag.2011.2166378
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发表时间：
2011
影响因子：
1.2
通讯作者：
Y.Takamura S.Sugahara
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y.Takamura;S.Sugahara;Y.Takamura S.Sugahara
我们提出了一种新的基于MOSFET型自旋晶体管的Hanle效应器件，以揭示自旋极化电子在SiMOS反转沟道中的输运动力学。所提出的装置具有高灵敏度地检测自旋信号并将自旋传输信号与其他虚假信号区分开来的能力。对器件中Hanle效应引起的自旋输运行为进行了理论分析，并与MOS反转沟道中电子迁移率的普适性进行了很好的关联。Hanle效应自旋装置可以解释硅MOS反转沟道中自旋输运的真实性质。
We propose a new Hanle-effect device based on a MOSFET type of spin transistor to reveal the dynamics of spin-polarized electron transport in the Si MOS inversion channel. The proposed device has the ability to detect spin signals with high sensitivity and to distinguish spin transport signals from other, spurious signals. Spin transport behavior induced by the Hanle effect in the device were theoretically analyzed and were well correlated with the universality of electron mobility in the MOS inversion channel. The Hanle-effect spin device can elucidate the true nature of spin transport in Si MOS inversion channels.
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