The nucleation and growth of H blisters in dislocation loops in W{110}
The nucleation and growth of H blisters in dislocation loops in W{110}
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W{110} 位错环中 H 泡的成核和生长
DOI：
10.1016/j.jnucmat.2016.06.022
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发表时间：
2016-09
影响因子：
3.1
通讯作者：
Pan, B. C.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
He, Zhihai;He, H. Y.;Pan, B. C.
基于第一性原理计算，我们提出了钨(W)中空位型位错环（dl）中H泡形核和生长的机制。我们发现空位型dl在能量上更倾向于在{110}平面上形成。在能量消耗小于0.24 eV的情况下，附近的H原子很容易迁移到dll中并在dll中积累。随着被困氢原子数量的增加，DL迅速膨胀，H泡的成核和生长在DL中逐渐完成。此外，当DL的H面密度达到6.3 × 1015原子/cm2（DL的每横截面积上的H原子数）时，在H泡中观察到h2分子。我们提出的W材料中H泡的形成机制也适用于其他金属和金属合金。
We propose a mechanism for nucleation and growth of H blisters in vacancy-type dislocation loops (DLs) in tungsten (W), based on the first principles calculations. We find that vacancy-type DLs are energetically preferred to form on {110} planes. The H atoms nearby are readily to migrate to and accumulate in the DLs with energy cost less than 0.24 eV. With the increasing number of the trapped H atoms, the DL expands rapidly, consequently, the nucleation and growth of H blisters is completed in the DL gradually. In addition, H2molecules are observed in the H blisters when the H areal density in DL reaches to be of 6.3 × 1015atoms/cm2(the number of H atoms per the cross-sectional area of the DL). Our proposed formation mechanism for H blisters in W material may also be applicable to other metals and metal alloys.
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作者：
Ding, W. Y.;He, H. Y.;Pan, B. C.
通讯作者：
Pan, B. C.
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影响因子：
3.1
作者：
Xiao, W.;Geng, W. T.
通讯作者：
Geng, W. T.
DOI：
10.15017/27087
发表时间：
2010-09
期刊：
Reports of Research Institute for Applied Mechanics,Kyushu University
影响因子：
--
作者：
K. Ohsawa;大澤 一人;Junya Goto;後藤 準也;Masahiro Yamakami;山上 真広;M. Yamaguchi;山口 正剛;M. Yagi
通讯作者：
K. Ohsawa;大澤 一人;Junya Goto;後藤 準也;Masahiro Yamakami;山上 真広;M. Yamaguchi;山口 正剛;M. Yagi
DOI：
10.1632/s0030812900174759
发表时间：
1995-05
期刊：
PMLA/Publications of the Modern Language Association of America
影响因子：
--
作者：
D. Batani;S. Baton;A. Casner;S. Depierreux;M. Hohenberger;O. Klimo;M. Koenig;C. Labaune;X. Ribeyre;C. Rousseaux;G. Schurtz;W. Theobald;V. Tikhonchuk
通讯作者：
D. Batani;S. Baton;A. Casner;S. Depierreux;M. Hohenberger;O. Klimo;M. Koenig;C. Labaune;X. Ribeyre;C. Rousseaux;G. Schurtz;W. Theobald;V. Tikhonchuk
影响因子：
3.1
作者：
J. Condon;T. Schober
通讯作者：
J. Condon;T. Schober