Electrical switching behavior from ultrathin potential barrier of self-assembly molecules tuned by interfacial charge trapping
Electrical switching behavior from ultrathin potential barrier of self-assembly molecules tuned by interfacial charge trapping
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通过界面电荷捕获调节的自组装分子超薄势垒的电开关行为
DOI：
10.1063/1.3373611
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发表时间：
2010-03
影响因子：
4
通讯作者：
Shi, Yi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li, Yun;Qiu, Danfeng;Cao, Liqiang;Shao, Chenxu;Pan, Lijia;Pu, Lin;Xu, Jianbin;Shi, Yi
对正辛基三氯硅烷（OTS）自组装分子作为有机双端结构中的超薄势垒进行了研究。观察到电流密度大幅增加时的电开关行为，电转变的机制主要与OTS与有机半导体层界面处的电荷俘获所调节的OTS势垒有关。开关行为揭示了自组装分子的界面特性在控制垂直电荷传输中的重要性。
The investigation of the self-assembly molecules of n-octyltrichlorosilane (OTS) as an ultrathin potential barrier in an organic two-terminal structure is presented. Electrical switching behavior with a large increase in current density is observed, and the mechanism of the electrical transition is mainly related to the OTS potential barrier tuned by charge trapping at the interface of OTS with the organic semiconductor layer. The switching behavior reveals the importance of the interfacial properties of self-assembly molecules in controlling the vertical charge transport.
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DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Kamal Gholamrezaie;Fatemeh Smits;Edsger C. P. Blom;Paul W. M. de Boer;K. Asadi;F. Gholamrezaie;E. Smits;P. Blom;B. Boer
通讯作者：
Kamal Gholamrezaie;Fatemeh Smits;Edsger C. P. Blom;Paul W. M. de Boer;K. Asadi;F. Gholamrezaie;E. Smits;P. Blom;B. Boer
影响因子：
8.6
作者：
Podzorov, V;Menard, E;Gershenson, ME
通讯作者：
Gershenson, ME
影响因子：
3.5
作者：
J. Deng;W. Hofbauer;N. Chandrasekhar;S. O’Shea
通讯作者：
J. Deng;W. Hofbauer;N. Chandrasekhar;S. O’Shea
影响因子：
41.2
作者：
Calhoun, M. F.;Sanchez, J.;Podzorov, V.
通讯作者：
Podzorov, V.
DOI：
10.1063/1.1826239
发表时间：
2004-07
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
--
作者：
J. Takeya;T. Nishikawa;T. Takenobu;S. Kobayashi;C. Goldmann;C. Krellner;T. Shimoda;T. Mitani;Y. Iwasa;B. Batlogg
通讯作者：
J. Takeya;T. Nishikawa;T. Takenobu;S. Kobayashi;C. Goldmann;C. Krellner;T. Shimoda;T. Mitani;Y. Iwasa;B. Batlogg