Effect of post-annealing on structural and electrochromic properties of Mo-doped V2O5 thin films
Effect of post-annealing on structural and electrochromic properties of Mo-doped V2O5 thin films
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后退火对Mo掺杂V2O5薄膜结构和电致变色性能的影响
DOI：
10.1007/s10971-015-3889-8
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发表时间：
2016-03
影响因子：
2.5
通讯作者：
Zhuge F.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yong W.;Zhang H. L.;Cao H. T.;Tian T.;Gao J. H.;Liang L. Y.;Zhuge F.
研究了后退火对Mo掺杂V2O5薄膜结构和电致变色性能的影响。随着退火温度的变化，层间距离从1.16（沉积态）增加到1.38 nm（在250 ℃下退火），并且增大的层间间距将促进电致变色基质内部的夹层之间的离子移动。因此，Mo掺杂的V2O5薄膜的光调制和色效率在适当的后退火处理后得到增强。结果表明，Mo掺杂的V2O5材料是一种很有前途的多色电致变色器件材料.图形摘要Mo掺杂的V2O5薄膜在退火后具有较大的层间距，从而大大提高了薄膜的光调制能力.
The effect of post-annealing on the structural and electrochromic properties of the Mo-doped V2O5 thin films was investigated in this paper. With varying the annealing temperature, the interlayer distance is increased from 1.16 (as-deposited) to 1.38 nm (annealing at 250 °C), and the enlarged interlayer spacing would facilitate ion movement in between the interlayers inside the electrochromic matrix. Therefore, both the optical modulation and color efficiency of the Mo-doped V2O5 thin films are enhanced after appropriate post-annealing treatment. Our results demonstrate that Mo-doped V2O5 material is one of the promising candidates to be used in multi-color electrochromic devices.Graphical AbstractThe ability to modulate optical transmittance of the Mo-doped V2O5 thin films is greatly enhanced by means of the larger interlayer distance after annealing.
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