Carrier lifetime and electron spin relaxation time in (110)-oriented GaAs/AlGaAs quantum well micro-posts
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(110) 取向 GaAs/AlGaAs 量子阱微柱中的载流子寿命和电子自旋弛豫时间
DOI：
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发表时间：
2010
影响因子：
2.6
通讯作者：
H.Kawaguchi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
N.Yokota;K.Ikeda;Y.Nishizaki;S.Koh;H.Kawaguchi
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