Microstructure and magnetic properties of In1−xCrxN thin films
Microstructure and magnetic properties of In1−xCrxN thin films
复制标题
In1-xCrxN薄膜的微观结构与磁性能
DOI：
10.1016/j.mssp.2014.11.035
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发表时间：
2015-03
影响因子：
4.1
通讯作者：
Chang Liu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhongpo Zhou;Haiying Wang;Shuting Niu;Jingju Chen;Zongxian Yang;Chang Liu
研究了用分子束外延技术在蓝宝石衬底GaN上生长的In1 − xCrxN薄膜的微结构和磁性。优化的生长条件，确定在降低生长温度的In1 − xCrxN薄膜。InGaN缓冲层顶部的In1 − xCrxN薄膜具有高结晶质量。In 1 − xCrxN薄膜的磁性即使在室温下也表现出铁磁行为。
Microstructure and magnetic properties of In1−xCrxN thin films grown on GaN-on-sapphire templates by molecular beam epitaxy are investigated. Optimized growth conditions are identified for the In1−xCrxN thin films at reduced growth temperature. The In1−xCrxN thin films on the top of the InGaN buffer layers exhibit high crystalline-quality. The magnetic properties of In1−xCrxN thin films show a ferromagnetic behavior even at room temperature.
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Koinuma, H
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通讯作者：
Pingping Chen;H. Makino;T. Yao
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A. Ney;R. Rajaram;S. Parkin;T. Kammermeier;S. Dhar
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通讯作者：
M. Schilfgaarde;O. Mryasov
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通讯作者：
G. Cabrera;F. Torres;J. Caicedo;W. Aperador;C. Amaya;P. Prieto