Gates controlled parallel-coupled double quantum dot on both single layer and bilayer graphene
Gates controlled parallel-coupled double quantum dot on both single layer and bilayer graphene
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单层和双层石墨烯上的门控并行耦合双量子点
DOI：
10.1063/1.3638471
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发表时间：
2011-04
影响因子：
4
通讯作者：
Chang, A. M.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Lin-Jun;Guo, Guo-Ping;Wei, Da;Cao, Gang;Tu, Tao;Xiao, Ming;Guo, Guang-Can;Chang, A. M.
本文在双层和单层石墨烯上对门控平行耦合双量子点（PDQD）器件进行了量子输运测量。通过面内柱塞闸门可以有效地实现点间耦合强度由弱到强的调节。所有相关的能量尺度和参数都可以从蜂窝电荷稳定性图中提取出来。该方法具有通用性和可靠性，对石墨烯纳米器件的实现和石墨烯中丰富的PDQD物理现象的研究具有重要意义。
We present quantum transport measurements of gates controlled parallel-coupled double quantum dot (PDQD) device on both bilayer and single layer graphenes. The interdot coupling strength can be effectively tuned from weak to strong by in-plane plunger gates. All the relevant energy scales and parameters can be extracted from the honeycomb charge stability diagrams. The present method of designing and fabricating graphene PDQD is demonstrated to be general and reliable and will enhance the realization of graphene nanodevice and desirable study of rich PDQD physical phenomena in graphene.
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L. D. D. Silva-L.-D.-D.-Silva-145554809;K. Ingersent;N. Sandler;S. Ulloa
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Rosa López;R. Aguado;G. Platero