Mobility Limiting Factors in p-type Distributed-Polarization Doped AlGaN
Mobility Limiting Factors in p-type Distributed-Polarization Doped AlGaN
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p 型分布极化掺杂 AlGaN 的迁移率限制因素
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
天野 浩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
隈部 岳瑠;渡邉 浩崇;本田 善央;天野 浩
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影响因子：
3.2
作者：
Hashizume, T
通讯作者：
Hashizume, T
通过低温 AlN 中间层减少金属有机气相外延生长 GaN 层中的 Mg 偏析
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
J. Appl. Phys. 104
影响因子：
--
作者：
K. Tomita;他
通讯作者：
他
重镁掺杂 p 型 GaN 蚀刻引起的损伤及其通过低偏置功率电感耦合等离子体反应离子蚀刻的抑制
DOI：
10.35848/1347-4065/abd538
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Kumabe;Y. Ando;Hirotaka Watanabe;M. Deki;A. Tanaka;S. Nitta;Y. Honda;H. Amano
通讯作者：
H. Amano
低压有机金属化学气相沉积纤锌矿GaN的光学性质
DOI：
10.1063/1.361200
发表时间：
1996
期刊：
影响因子：
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作者：
W. Shan;T. Schmidt;X. Yang;J. Song;B. Goldenberg
通讯作者：
B. Goldenberg