Bright mid-infrared photoluminescence from high dislocation density epitaxial PbSe films on GaAs
Bright mid-infrared photoluminescence from high dislocation density epitaxial PbSe films on GaAs
复制标题
GaAs 上高位错密度外延 PbSe 薄膜的明亮中红外光致发光
DOI：
10.1063/5.0070555
复制
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
6.1
通讯作者：
Mukherjee, Kunal
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Meyer, Jarod;Muhowski, Aaron J.;Nordin, Leland;Hughes, Eamonn;Haidet, Brian;Wasserman, Daniel;Mukherjee, Kunal
登录
查看更多内容
PbSe 中的反常俄歇复合。
影响因子：
8.6
作者：
Xie Zhang;Jimmy‐Xuan Shen;C. G. Van de Walle
通讯作者：
C. G. Van de Walle
采用液相外延和分子束外延 HgCdTe 层制成的高效红外发光二极管
DOI：
--
发表时间：
1991
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Bouchut;G. Destefanis;J. Chamonal;A. Million;B. Pelliciari;J. Piaguet
通讯作者：
J. Piaguet
10 μm Pb1−xSnxTe 中的复合分析
DOI：
--
发表时间：
1976
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Berndt;D. Genzow;K. Herrmann
通讯作者：
K. Herrmann
揭示 GaAs 上应变 PbSe 的结构和电子特性
影响因子：
1.8
作者：
Liu, X.;Wang, J.;Riney, L.;Bac, S.K.;Smith, David J.;McCartney, M.R.;Khan, I.;Hoffman, A.J.;Dobrowolska, M.;Furdyna, J.K.
通讯作者：
Furdyna, J.K.
窄带隙 InAs/Ga 1-x In x Sb 基超晶格中的载流子复合率
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Flatté;C. Grein;T. Hasenberg;S. A. Anson;D. Jang;J. Olesberg;T. Boggess
通讯作者：
T. Boggess