Reactive ion etching of Ge-Sb-Se ternary chalcogenide glass films in fluorine plasma
Reactive ion etching of Ge-Sb-Se ternary chalcogenide glass films in fluorine plasma
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氟等离子体中 Ge-Sb-Se 三元硫系玻璃薄膜的反应离子刻蚀
DOI：
10.1016/j.mee.2020.111259
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发表时间：
2020-02
影响因子：
2.3
通讯作者：
Zheyao Wang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hao Xiong;Yunfan Shi;Zheyao Wang
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影响因子：
2.8
作者：
F. Verger;V. Nazabal;F. Colas;P. Němec;C. Cardinaud;E. Baudet;R. Chahal;E. Rinnert;K. Boukerma;Isabelle Péron;S. Députier;M. Guilloux-Viry;J. Guin;H. Lhermite;A. Moreac;C. Compère;B. Bureau
通讯作者：
F. Verger;V. Nazabal;F. Colas;P. Němec;C. Cardinaud;E. Baudet;R. Chahal;E. Rinnert;K. Boukerma;Isabelle Péron;S. Députier;M. Guilloux-Viry;J. Guin;H. Lhermite;A. Moreac;C. Compère;B. Bureau
用于电信波长的 Ge20Sb15Se65 硫系玻璃肋波导的制造和表征
影响因子：
2.1
作者：
沈祥
通讯作者：
沈祥
影响因子：
2.3
作者：
C. Vigreux;Séverine De Sousa;Véronique Foucan;E. Barthélémy;A. Pradel
通讯作者：
C. Vigreux;Séverine De Sousa;Véronique Foucan;E. Barthélémy;A. Pradel
影响因子：
3.5
作者：
J. Orava;T. Wágner;M. Krbal;T. Kohoutek;M. Vlcek;M. Frumar
通讯作者：
J. Orava;T. Wágner;M. Krbal;T. Kohoutek;M. Vlcek;M. Frumar
影响因子：
3.8
作者：
P. Ma;D. Choi;Yi Yu;X. Gai;Zhiyong Yang;S. Debbarma;S. Madden;B. Luther-Davies
通讯作者：
P. Ma;D. Choi;Yi Yu;X. Gai;Zhiyong Yang;S. Debbarma;S. Madden;B. Luther-Davies