Weak antilocalization effect in high-mobility two-dimensional electron gas in an inversion layer on p-type HgCdTe
Weak antilocalization effect in high-mobility two-dimensional electron gas in an inversion layer on p-type HgCdTe
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p型HgCdTe反型层高迁移率二维电子气的弱反局域效应
DOI：
10.1063/1.3615303
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发表时间：
2010-12
影响因子：
4
通讯作者：
Wei, Yanfeng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Austing, D. G.;Gao, Kuanghong;Wei, Laiming;Liu, Xinzhi;Hu, Gujin;Yu, Guolin;Lin, Tie;Guo, Shaoling;Wei, Yanfeng
研究了p型HgCdTe薄膜反型层中门控二维电子气(2DEG)的磁导。在强磁场下，观察到了单子带占据的二维电子气的量子霍尔效应等特征。在弱磁场下，在弹道区域观察到微弱的反局域化效应。相位相干时间和零场自旋分裂是根据戈卢布的模型[L.E.戈卢布，物理。修订本B 71,235310(2005年)]。退相率与温度的关系符合奈奎斯特机制。
Magnetoconductance of a gated two-dimensional electron gas (2DEG) in an inversion layer on a p-type HgCdTe film is investigated. At strong magnetic fields, characteristic features such as the quantum Hall effect of a 2DEG with single subband occupation are observed. At weak magnetic fields, the weak antilocalization effect in the ballistic regime is observed. Phase coherence time and zero-field spin-splitting are extracted following Golub’s model [L. E. Golub, Phys. Rev. B 71, 235310 (2005)]. The temperature dependence of the dephasing rate is consistent with the Nyquist mechanism.
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影响因子：
1.1
作者：
V. Radantsev;A. Yafyasov
通讯作者：
V. Radantsev;A. Yafyasov
影响因子：
3.7
作者：
L. Golub
通讯作者：
L. Golub
DOI：
10.1103/physrevb.35.5639
发表时间：
1987-04
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Moyle;Cheung;Ong
通讯作者：
Moyle;Cheung;Ong
DOI：
10.1116/1.575492
发表时间：
1988-07
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
--
作者：
E. Palm;W. Szott;P. Kobiela;W. Kirk;R. Schiebel;M. Reed
通讯作者：
E. Palm;W. Szott;P. Kobiela;W. Kirk;R. Schiebel;M. Reed
影响因子：
3.7
作者：
Kallaher, R. L.;Heremans, J. J.
通讯作者：
Heremans, J. J.