Quantitative Characterization of Misfit Dislocations at GaP/Si Heteroepitaxial Interfaces via Electron Channeling Contrast Imaging and Semi-Automated Image Analysis
Quantitative Characterization of Misfit Dislocations at GaP/Si Heteroepitaxial Interfaces via Electron Channeling Contrast Imaging and Semi-Automated Image Analysis
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通过电子通道对比成像和半自动图像分析定量表征 GaP/Si 异质外延界面处的失配位错
DOI：
10.1017/s1431927619001740
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发表时间：
2019
影响因子：
2.8
通讯作者：
Grassman, Tyler J.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Blumer, Ari N.;Boyer, Jacob T.;Deitz, Julia I.;Rodriguez, Francisco A.;Grassman, Tyler J.
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DOI：
10.1093/oxfordjournals.jmicro.a023810
发表时间：
2000
期刊：
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影响因子：
--
作者：
A. Wilkinson
通讯作者：
A. Wilkinson
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DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
Microscopy research and technique (Print)
影响因子：
--
作者：
M. Crimp
通讯作者：
M. Crimp
影响因子：
8.6
作者：
Naresh-Kumar, G.;Hourahine, B.;Trager-Cowan, C.
通讯作者：
Trager-Cowan, C.
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DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Mukherjee;B. Wacaser;S. Bedell;D. Sadana
通讯作者：
D. Sadana