On the Etching Mechanism of Highly Hydrogenated SiN Films by CF4/D2 Plasma: Comparison with CF4/H2
On the Etching Mechanism of Highly Hydrogenated SiN Films by CF4/D2 Plasma: Comparison with CF4/H2
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CF4/D2等离子体刻蚀高度氢化SiN薄膜的机理：与CF4/H2的比较
DOI：
10.3390/coatings11121535
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
3.4
通讯作者：
Masaru Hori
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shih-Nan Hsiao;Thi-Thuy-Nga Nguyen;Takayoshi Tsutsumi;Kenji Ishikawa;Makoto Sekine;Masaru Hori
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氟碳气体磁控管放电SiO2锥形蚀刻
DOI：
10.1143/jjap.31.405
发表时间：
1992
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Ohiwa;K. Horioka;T. Arikado;Isahiro Hasegawa;Haruo Okano Haruo Okano
通讯作者：
Haruo Okano Haruo Okano
影响因子：
2.9
作者：
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通讯作者：
Oehrlein, Gottlieb S.
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DOI：
10.1039/c6cp00986g
发表时间：
2016
期刊：
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影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
J. Han
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DOI：
10.1109/issm51728.2020.9377537
发表时间：
2020
期刊：
2020 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM)
影响因子：
--
作者：
S. Hsiao;Thi‐Thuy‐Nga Nguyen;T. Tsutsumi;K. Ishikawa;M. Sekine;M. Hori
通讯作者：
M. Hori
影响因子：
2.9
作者：
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通讯作者：
Kawamura, Takahiro