Resonant energy transfer between Eu luminescent sites and their local geometry in GaN
Resonant energy transfer between Eu luminescent sites and their local geometry in GaN
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Eu 发光位点之间的共振能量转移及其在 GaN 中的局部几何形状
DOI：
10.1063/1.4933301
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发表时间：
2015
影响因子：
4
通讯作者：
and Y. Fujiwara
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Timmerman;R. Wakamatsu;K. Tanaka;D. Lee;A. Koizumi;and Y. Fujiwara
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光响应 N 混合液晶，介电常数可实现 10^4 至 10^2 的剧烈变化
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
森川響二朗;竹内智章;北森武彦;西川浩矢
通讯作者：
西川浩矢
p-GaN/Eu 掺杂 GaN/n-GaN 发光二极管电流注入红光发射的低压工作
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
Physica Status Solidi(a) (印刷中)
影响因子：
--
作者：
藤原康文;西川敦;寺井慶和;Tadashi Takayanagi;藤原康文;M. Sasaki;H.Kasai;Misao Sasaki;西川敦
通讯作者：
西川敦
影响因子：
4
作者：
Nishikawa, A.;Furukawa, N.;Fujiwara, Y.
通讯作者：
Fujiwara, Y.
影响因子：
3.9
作者：
Woodward, N.;Nishikawa, A.;Dierolf, V.
通讯作者：
Dierolf, V.
影响因子：
16.6
作者：
Siyushev, P.;Xia, K.;Wrachtrup, J.
通讯作者：
Wrachtrup, J.