Comparison of the photoemission behaviour between negative electron affinity GaAs and GaN photocathodes
Comparison of the photoemission behaviour between negative electron affinity GaAs and GaN photocathodes
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负电子亲和势GaAs和GaN光电阴极光电发射行为的比较
DOI：
10.1088/1674-1056/20/4/048501
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发表时间：
2011-04
影响因子：
1.7
通讯作者：
Gao Pin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Yi-Jun;Zou Ji-Jun;Wang Xiao-Hui;Chang Ben-Kang;Qian Yun-Sheng;Zhang Jun-Ju;Gao Pin
鉴于GaN和GaN光电阴极在电子源中的重要应用，比较了两种典型的III-V化合物光电阴极在光电发射行为上的差异，即激活过程和量子产额衰减
In view of the important application of GaAs and GaN photocathodes in electron sources, differences in photoemission behaviour, namely the activation process and quantum yield decay, between the two typical types of III—V compound photocathodes have been
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DOI：
10.1098/rspa.1927.0025
发表时间：
1927-02
期刊：
Proceedings of The Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences
影响因子：
--
作者：
J. Topping
通讯作者：
J. Topping
影响因子：
1.5
作者：
T. Wada;Toshiyuki Nitta;T. Nomura;M. Miyao;M. Hagino
通讯作者：
T. Wada;Toshiyuki Nitta;T. Nomura;M. Miyao;M. Hagino
影响因子：
1.6
作者：
杜晓晴 Du Xiaoqing;常本康 Chang Benkang;钱芸生 Qian Yunsheng;乔建良 Qiao Jianliang;田. T. Jian
通讯作者：
杜晓晴 Du Xiaoqing;常本康 Chang Benkang;钱芸生 Qian Yunsheng;乔建良 Qiao Jianliang;田. T. Jian
影响因子：
1.8
作者：
D. Wight;P. E. Oliver;T. Prentice;V. Steward
通讯作者：
D. Wight;P. E. Oliver;T. Prentice;V. Steward
DOI：
10.1088/1009-1963/12/5/304
发表时间：
2003-05
期刊：
Chinese Physics
影响因子：
--
作者：
Cun-Jun Ruan
通讯作者：
Cun-Jun Ruan