Effect of Si doping to the (1-101)GaN grown on a 7 degree off oriented (001) Si by selective MOVPE
Effect of Si doping to the (1-101)GaN grown on a 7 degree off oriented (001) Si by selective MOVPE
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Si掺杂对选择性MOVPE在7度偏向(001)Si上生长的(1-101)GaN的影响
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N.Sawaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Hikosaka;Y.Honda;N.Koide;M.Yamaguchi;N.Sawaki
通过选择性 MOVPE 在 7 度偏向 (0 0 1)Si 衬底上生长 ( 1 1 0 1 ) GaN
影响因子：
8.8
作者：
Y. Honda;N. Kameshiro;M. Yamaguchi;N. Sawaki
通讯作者：
N. Sawaki
在 7° 离轴 (001)Si 衬底上生长的 (1-101)GaN 的光学和电学特性
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Appl.Phys.Lett. 84・23
影响因子：
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作者：
K. Hayashi;S. Mizuno;S. Tanaka;H. Toyoda;H. Tochihara;I. Suemune;T.Hikosaka
通讯作者：
T.Hikosaka
(0 0 0 1)GaN/AlGaN/(1 1 1)Si 异质结构的光电流光谱
影响因子：
3.3
作者：
Y. Kuroiwa;Y. Honda;N. Sawaki
通讯作者：
N. Sawaki