Particulate reduction in ternary-compound film growth via pulsed laser deposition from segmented binary-targets
Particulate reduction in ternary-compound film growth via pulsed laser deposition from segmented binary-targets
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通过分段二元靶材的脉冲激光沉积减少三元化合物薄膜生长中的颗粒
DOI：
10.1088/2053-1591/aab0ef
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发表时间：
2018
影响因子：
2.3
通讯作者：
Grant-Jacob J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Grant-Jacob J
采用< 100>混合三元化合物靶和分段二元化合物靶，通过脉冲激光沉积在α-取向YAG衬底上异质外延生长高质量的Y3 Ga 5 O 12晶体。我们观察到，使用分段靶（Y2 O3/Ga 2 O3）制备的Y3 Ga 5 O 12薄膜的散射点比使用混合靶生长的薄膜少100倍。我们发现，烧蚀后，混合化合物（三元）目标的表面有激光诱导锥结构，而单一化合物（二元）目标的表面没有。它的结论是，在各自的目标中的氧化物成分的不同烧蚀动力学起着显着的作用，在所得的薄膜中的散射点的起源。
We present the hetero-epitaxial growth of high-quality crystalline Y 3 Ga 5 O 12 onto a< 100>-oriented YAG substrate via pulsed laser deposition, using mixed ternary-compound and segmented binary-compound targets. We observe that a Y 3 Ga 5 O 12 film fabricated using a segmented target (Y 2 O 3/Ga 2 O 3) contained∼ 100 times fewer scattering points than a film grown using a mixed Y 3 Ga 5 O 12 target. We show that following ablation, the surface of the mixed compound (ternary) target had laser-induced cone structures, whereas the surface of single compound (binary) targets did not. It is concluded that the different ablation dynamics of the oxide constituents in the respective targets plays a significant role in the origin of the scattering points in the resultant films.
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