Abnormal Resistance and Magnetoresistance Temperature Dependence in Fe-Semiconductor Granular Films
Abnormal Resistance and Magnetoresistance Temperature Dependence in Fe-Semiconductor Granular Films
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铁半导体颗粒薄膜中的异常电阻和磁阻温度依赖性
DOI：
10.1109/tmag.2011.2158302
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发表时间：
2011-09
影响因子：
2.1
通讯作者：
Chen, P.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yu, T.;Chen, P.
以透明半导体氧化铟锡（ITO）为基质，制备了一系列磁性颗粒膜。磁，电性能，和磁电阻的铁体积分数和温度的依赖关系进行了研究。磁
A series of magnetic granular films using transparent semiconductor indium-tin oxide (ITO) as host were prepared. The dependence of magnetic, electrical properties, and magnetoresistance on Fe volume fractions and temperature are investigated. A magnetic
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影响因子：
2.7
作者：
J. Stankiewicz;F. Villuendas;J. Bartolomé;J. Sesé
通讯作者：
J. Stankiewicz;F. Villuendas;J. Bartolomé;J. Sesé
影响因子：
2.7
作者：
Tian Yu;Xing-Qing Li;Ding-Guo Li;Shen-Fen Hao;Liang-Min Wang;Zhao-Gang Zhang;Guangheng Wu;Xinju Z
通讯作者：
Tian Yu;Xing-Qing Li;Ding-Guo Li;Shen-Fen Hao;Liang-Min Wang;Zhao-Gang Zhang;Guangheng Wu;Xinju Z
Co/ITO多层膜的巨磁阻
影响因子：
2.1
作者：
Lue, Ling;Lue, Gang;Zhang, Zhaogang;Gao, Chunhong;Yu, Tian;Chen, Peng
通讯作者：
Chen, Peng
DOI：
10.1142/7981
发表时间：
2012-06
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
J. Xia;Kai Chang;W. Ge
通讯作者：
J. Xia;Kai Chang;W. Ge
DOI：
10.1016/j.mseb.2005.09.010
发表时间：
2006-01
影响因子：
3.6
作者：
C. Duluard;A. Bsiesy;A. Filipe;A. Francinelli;H. Achard;V. Safarov
通讯作者：
C. Duluard;A. Bsiesy;A. Filipe;A. Francinelli;H. Achard;V. Safarov