Fabrication and Properties of Semi-Polar(1-101)and(11-22)InGaN/GaN MQW Light Emitting Diodes on Patterned Si Substrates
Fabrication and Properties of Semi-Polar(1-101)and(11-22)InGaN/GaN MQW Light Emitting Diodes on Patterned Si Substrates
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图案化硅衬底上半极性(1-101)和(11-22)InGaN/GaN MQW发光二极管的制备和性能
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Hikosaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Hikosaka;N.Koide;Y.Honda;M.Yamaguchi;N.Sawaki;T. Hikosaka
在 7° 离轴 (001)Si 衬底上生长的 (1-101)GaN 的光学和电学特性
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Appl.Phys.Lett. 84・23
影响因子：
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作者：
K. Hayashi;S. Mizuno;S. Tanaka;H. Toyoda;H. Tochihara;I. Suemune;T.Hikosaka
通讯作者：
T.Hikosaka
n-GaN/AlN/n-Si 异质结结构中的串联电阻
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Jap. J. Appl. Phys. 45・5A
影响因子：
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作者：
H.Kondo;N.Koide;Y.Honda;M.Yamaguchi;N.Sawaki
通讯作者：
N.Sawaki
DOI：
10.1143/jjap.45.l659
发表时间：
2006-07-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
影响因子：
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作者：
Funato, Mitsuru;Ueda, Masaya;Mukai, Takashi
通讯作者：
Mukai, Takashi