Improvement of Crystalline Quality of BeZnSe Using Buffer Layer by Migration Enhanced Epitaxy on GaP(001) Substrate
Improvement of Crystalline Quality of BeZnSe Using Buffer Layer by Migration Enhanced Epitaxy on GaP(001) Substrate
复制标题
GaP(001)衬底上迁移增强外延利用缓冲层提高BeZnSe的结晶质量
DOI：
--
复制
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M.Watanabe
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T.Yokoyama;Y.Niiyama;T Murata;M.Watanabe
通过引入 BeZnTe 缓冲层降低 InP 衬底上 ZnCdSe 的缺陷密度
DOI：
10.1002/1521-3951(200201)229:1
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Fukada;I. Nomura;S. Che;E. Ogiwara;A. Kikuchi;K. Kishino
通讯作者：
K. Kishino
ZnS基材料分子束外延GaP衬底预处理的优化
DOI：
10.1002/1521-3951(200201)229:1
发表时间：
2002
影响因子：
1.6
作者：
K. Ichino;T. Nishikawa;F. Kawakami;T. Kosugi;M. Kitagawa;H. Kobayashi
通讯作者：
H. Kobayashi