Hamming Distance Computation in Unreliable Resistive Memory
Hamming Distance Computation in Unreliable Resistive Memory
复制标题
不可靠电阻存储器中的汉明距离计算
DOI：
10.1109/tcomm.2018.2840717
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发表时间：
2018
影响因子：
8.3
通讯作者：
Dolecek, Lara
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chen, Zehui;Schoeny, Clayton;Dolecek, Lara
忆阻开关器件的反馈写入方案
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
W. Yi;F. Perner;Muhammad Shakeel Qureshi;H. Abdalla;M. Pickett;J. Yang;Min;G. Medeiros;R. S. Williams
通讯作者：
R. S. Williams
采用逻辑技术的新型 CuxSiyO 电阻式存储器，为嵌入式应用提供出色的数据保留和电阻分布
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
Symposium on VLSI Technology
影响因子：
--
作者：
M. Wang;W. Luo;Y. L. Wang;L. M. Yang;Wenjie Zhu;P. Zhou;J. H. Yang;X. Gong;Y. Y. Lin;R. Huang;S. Song;Q. Zhou;H. Wu;J. Wu;M. Chi
通讯作者：
M. Chi
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Machine-mediated learning
影响因子：
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作者：
M. Pazzani;Wendy Sarrett
通讯作者：
Wendy Sarrett