Field-Emission Characteristics from Carbon Nanotube Single Emitter Grown on Si Cone
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硅锥上生长的碳纳米管单发射极的场发射特性
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Matsumoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Yoshimoto;T.Iwata;K.Matsumoto
在硅发射器上生长的碳纳米管场发射器阵列 (FEA) 的发射特性
影响因子：
1.5
作者：
T. Yoshimoto;T. Iwata;Ryuutaro Minesawa;K. Matsumoto
通讯作者：
K. Matsumoto
真实表面 p 型硅单发射极场发射特性的温度依赖性
影响因子：
1.5
作者：
T. Yoshimoto;T. Iwata;S. Kikuchi;N. Yokogawa
通讯作者：
N. Yokogawa