Orientation of hole quantum Hall nematic phases in an out-of-plane electric field
Orientation of hole quantum Hall nematic phases in an out-of-plane electric field
复制标题
面外电场中空穴量子霍尔向列相的取向
DOI：
10.1103/physrevb.99.195420
复制
发表时间：
2019
影响因子：
3.7
通讯作者：
Croxall A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Croxall A
我们目前的观测结果的各向异性电阻状态在朗道水平填充因子在二维孔系统（2DHS），发生一定值的孔densityandaveragedout-of-plane电场。在未掺杂的GaAs/AlGaAs量子阱中，2DHS是由电场效应引起的，其中前栅和背栅允许独立调谐的和，因此限制势的对称性。对于和V/m，沿的磁电阻大大超过沿着的磁电阻，表明形成了量子霍尔效应或“条纹”相。反转的符号会使条纹旋转。我们认为这种行为可能是由于空穴朗道能级的混合以及Rashba和Dresselhaus自旋-轨道耦合效应的结合。
We present observations of an anisotropic resistance state at Landau-level filling factorin a two-dimensional hole system (2DHS), which occurs for certain values of hole densityand average out-of-plane electric field. The 2DHS is induced by electric-field effect in an undoped GaAs/AlGaAs quantum well, where front and back gates allow independent tuning ofand, and hence the symmetry of the confining potential. ForandV/m, the magnetoresistance alonggreatly exceeds that along, suggesting the formation of a quantum Hall nematic or “stripe” phase. Reversing the sign ofrotates the stripes by. We suggest this behavior may arise from the mixing of the hole Landau levels and a combination of the Rashba and Dresselhaus spin-orbit coupling effects.
登录
查看更多内容
磁场中 GaAs-AlxGa1-xAs 异质结处的空穴。
DOI：
10.1103/physrevb.32.6630
发表时间：
1985
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Eric Yang S;Broido;Sham
通讯作者：
Sham
倾斜磁场中二维孔朗道能级填充因子 3/2 周围的复合费米子态
影响因子：
3.7
作者：
Po Zhang;Ruiyuan Liu;R. Du;L. Pfeiffer;K. West
通讯作者：
K. West
量子霍尔条纹的陈-西蒙斯理论
DOI：
10.1142/s0217979201004988
发表时间：
2000
期刊：
arXiv: Mesoscale and Nanoscale Physics
影响因子：
--
作者：
B. Rosenow;S. Scheidl
通讯作者：
S. Scheidl
高朗道能级二维电子形成条纹的方向
影响因子：
1.7
作者：
D. Yoshioka
通讯作者：
D. Yoshioka
空穴朗道能级中的分数量子霍尔效应。
DOI：
10.1103/physrevb.41.1290
发表时间：
1990
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Yang;Macdonald;Yoshioka
通讯作者：
Yoshioka