Improving high temperature tribological performances of Si doped diamond-like carbon by using W interlayer
Improving high temperature tribological performances of Si doped diamond-like carbon by using W interlayer
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利用W中间层提高Si掺杂类金刚石碳的高温摩擦性能
DOI：
10.1016/j.triboint.2020.106241
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发表时间：
2020-06
影响因子：
6.2
通讯作者：
Linqing Wang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Weijie Yu;Junjun Wang;Weijiu Huang;Longchen Cui;Linqing Wang
采用等离子体辅助反应磁控溅射法制备了不同硅含量的含W过渡层的类金刚石薄膜(DLC)。研究了薄膜的结构和高温摩擦学性能。结果表明，纯DLC膜在400oC时因石墨化而磨损，而Si含量为4.56at.%的Si-DLC膜在500oC的高温下仍保持较低的摩擦系数(0.2~0.05)。在500℃时，14.56at.%Si-DLC薄膜由于SiO_2的形成而失效。4.56at.%Si-DLC薄膜高温摩擦学性能的改善归因于500℃时W过渡层的摩擦化学作用，W过渡层形成了由钨氧化物和碳化物组成的薄膜。
Diamond-like carbon films (DLC) with different silicon contents combined with W interlayer are deposited by plasma-assisted reactive magnetron sputtering. The structures and high-temperature tribological properties of the films are investigated. The results reveal that the pure DLC film is worn out at 400 oC because of graphitization, while the Si-DLC film with Si content of 4.56 at.% keeps low friction coefficient (0.2–0.05) at high temperature up to 500 oC. The 14.56 at.% Si-DLC film failed at 500 oC induced by the formation of SiO2. The improved high-temperature tribological performance of the 4.56 at.% Si-DLC film is attributed to the tribochemistry of W interlayer at 500 oC which formed a film composed of tungsten oxides and carbide.
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