Structural Inhomogeneity and Crystallization of Amorphous Thin Films of Group IV Semiconductors
Structural Inhomogeneity and Crystallization of Amorphous Thin Films of Group IV Semiconductors
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IV族半导体非晶薄膜的结构不均匀性和结晶化
DOI：
10.2320/materia.61.432
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
奥川将行
中科院分区：
文献类型：
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作者：
奥川将行
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DOI：
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发表时间：
1972
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Takamori;R. Messier;R. Roy
通讯作者：
R. Roy
溅射沉积非晶锗薄膜非晶结构与爆炸结晶的关系
影响因子：
1.5
作者：
M. Okugawa;R. Nakamura;H. Numakura;A. Heya;N. Matsuo;H. Yasuda
通讯作者：
H. Yasuda
低密度和高密度非晶锗结构的计算机分析
DOI：
10.1016/j.jnoncrysol.2004.08.194
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Koga;F. Yonezawa;K. Nishio;T. Yamaguchi
通讯作者：
T. Yamaguchi
溅射沉积非晶 SiGe 薄膜的双晶化模式
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Okugawa;R. Nakamura;H. Numakura;M. Ishimaru;H. Yasuda
通讯作者：
H. Yasuda