Dependence of silicon oxidation channel on distribution of surface electrons at initial stage of oxide growth on Si(001)
Dependence of silicon oxidation channel on distribution of surface electrons at initial stage of oxide growth on Si(001)
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Si(001)氧化物生长初期硅氧化通道对表面电子分布的依赖性
DOI：
10.1063/1.4825366
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发表时间：
2013-10
影响因子：
4
通讯作者：
车静光
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
韩晗;车静光
我们对 Si(001) 上单氧原子无势垒吸附的第一原理模拟表明，只有少数通道存在用于硅氧化。原因是表面电子降低了 O 的电负性。根据硅氧化通道对表面电子分布的依赖性，我们在原子水平上解释说，如果可以通过预生长占据氧化通道的狭窄区域，例如在Si(001)上沉积一层单层Sr，则可以封闭硅氧化通道，并可以实现氧化物和硅之间的高质量界面。
Our first principles simulations for a single oxygen atom barrierless adsorption on Si(001) show that only a few channels exist for silicon oxidation. The reason is that surface electrons reduce O's electronegativity. According to the dependence of the silicon oxidation channels on the distribution of the surface electrons, we explain at atomic level that if the narrow regions of the oxidation channels can be occupied by pre-growth, such as depositing one monolayer of Sr on the Si(001), the silicon oxidation channels can be closed and the high-quality interface between oxides and silicon can be realized.
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影响因子：
1.9
作者：
A. Hémeryck;N. Richard;A. Estève;M. Rouhani
通讯作者：
A. Hémeryck;N. Richard;A. Estève;M. Rouhani
DOI：
10.1016/0039-6028(96)80076-8
发表时间：
1996-03
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Uchiyama;Tsukada
通讯作者：
Uchiyama;Tsukada
影响因子：
3.7
作者：
NEUGEBAUER, J;SCHEFFLER, M
通讯作者：
SCHEFFLER, M
影响因子：
3.7
作者：
Kresse, G;Furthmuller, J
通讯作者：
Furthmuller, J
影响因子：
8.6
作者：
Y. Tu;J. Tersoff
通讯作者：
Y. Tu;J. Tersoff