A gate-width scalable 90-nm MOSFET nonlinear model including DC/RF dispersion effects valid up to 50 GHz
A gate-width scalable 90-nm MOSFET nonlinear model including DC/RF dispersion effects valid up to 50 GHz
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门宽可扩展的 90 nm MOSFET 非线性模型，包括 DC/RF 色散效应，在高达 50 GHz 的频率下有效
DOI：
10.1016/j.sse.2017.06.029
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发表时间：
2017-09
影响因子：
1.7
通讯作者：
Gao Jianjun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yu;Panpan;Sun;Ling;Tian;Xuenong;Cheng;Jiali;Gao;Jianjun;Yu Panpan;Sun Ling;Tian Xuenong;Cheng Jiali;Gao Jianjun
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M. A. Karim;Y. Chauhan;S. Venugopalan;A. Sachid;D. Lu;B. Nguyen;O. Faynot;A. Niknejad;C. Hu