Overcoming the compensation of acceptors in GaN:Mg by defect complex formation
Overcoming the compensation of acceptors in GaN:Mg by defect complex formation
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通过形成缺陷复合物克服 GaN:Mg 中受主的补偿
作者：
Xie Z
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使用混合 QM/MM 演示 GaN 中 Si 和 O 缺陷的施主特性
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
Zijuan Xie;Y. Sui;J. Buckeridge;C. Catlow;T. Keal;P. Sherwood;A. Walsh;D. Scanlon;S. Woodley;A. Sokol
通讯作者：
A. Sokol
通过相关原子探针断层扫描和离轴电子全息术三维测量 GaN 中的镁掺杂分布和电活性
影响因子：
3.2
作者：
L. Amichi;I. Mouton;E. Di Russo;V. Boureau;F. Barbier;A. Dussaigne;A. Grenier;P. Jouneau;C. Bougerol;D. Cooper
通讯作者：
D. Cooper
影响因子：
3.7
作者：
J. Davies
通讯作者：
J. Davies
局部场对 GaN 薄膜和 GaN 衬底中 Mg 受体的影响
影响因子：
3.2
作者：
M. Zvanut;J. Dashdorj;U. Sunay;J. Leach;K. Udwary
通讯作者：
K. Udwary
p型GaN(Mg,H)中N空位在高温下的理论性质
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Myers;A. F. Wright;M. Sanati;S. Estreicher
通讯作者：
S. Estreicher