Performance and parasitic analysis of sub-micron scaled tri-gate AlGaN/GaN HEMT design
Performance and parasitic analysis of sub-micron scaled tri-gate AlGaN/GaN HEMT design
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亚微米级三栅 AlGaN/GaN HEMT 设计的性能和寄生分析
DOI：
10.1109/eumic.2015.7345077
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
O. Ambacher
中科院分区：
文献类型：
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作者：
E. Ture;P. Brückner;F. V. Raay;M. Alsharef;R. Granzner;F. Schwierz;R. Quay;O. Ambacher
影响因子：
20.6
作者：
Mishra, Umesh K.;Shen, Likun;Wu, Yi-Feng
通讯作者：
Wu, Yi-Feng
SiC 上的 AlGaN / GaN HEMT 具有超过 100 GHz fT 和低微波噪声
DOI：
--
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
作者：
Wu Lu;Jinwei Yang;M. Khan;I. Adesida
通讯作者：
I. Adesida