Dependence of In mole fraction in InGaN on GaN facets
Dependence of In mole fraction in InGaN on GaN facets
复制标题
InGaN 中 In 摩尔分数对 GaN 晶面的依赖性
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Hiramatsu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Nakao;D. Li;Y.H. Liu;H. Miyake;K. Hiramatsu
使用 AlN 缓冲层直接在蓝宝石衬底上 MOVPE 生长厚均质 InGaN
影响因子：
1.7
作者：
M. Shimizu;Y. Kawaguchi;K. Hiramatsu;N. Sawaki
通讯作者：
N. Sawaki
影响因子：
4
作者：
Nishizuka, K;Funato, M;Mukai, T
通讯作者：
Mukai, T