Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-dopedGaAs grown on GaAs(111)A
Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-dopedGaAs grown on GaAs(111)A
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GaAs(111)A 上生长的氮 δ 掺杂 GaAs 中单等电子陷阱的光致发光
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Onabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Fukushima;Y.Hijikata;H.Yaguchi;S.Yoshida;M.Okano;M.Yoshita;H.Akiyama;S.Kuboya;R.Katayama;K.Onabe
MOVPE 中氮原子层掺杂研究 GaAs 中氮对发光的起源
影响因子：
1.5
作者：
T. Makimoto;Hisao Saito Hisao Saito;Naoki Kobayashi Naoki Kobayashi
通讯作者：
Naoki Kobayashi Naoki Kobayashi
影响因子：
1.5
作者：
M. Ikezawa;Y. Sakuma;Y. Masumoto
通讯作者：
M. Ikezawa;Y. Sakuma;Y. Masumoto
氮 δ 掺杂 GaAs 中单个等电子陷阱的双光致发光峰
影响因子：
3.3
作者：
Y. Endo;Y. Hijikata;H. Yaguchi;S. Yoshida;M. Yoshita;H. Akiyama;F. Nakajima;R. Katayama;K. Onabe
通讯作者：
K. Onabe