Influence of Anisotropic Diffusion of Ga Atoms on GaAs Growth on Alternately Inverted (100) Substrates
Influence of Anisotropic Diffusion of Ga Atoms on GaAs Growth on Alternately Inverted (100) Substrates
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Ga原子各向异性扩散对交替倒置(100)衬底上GaAs生长的影响
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Kondo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Yamamura;T.Matsushita;T.Koitabashi;T.Kondo
用于非线性光学器件的 GaAs (100) 和 (111) 衬底上的 GaAs/Ge/GaAs 亚晶格反转外延
影响因子：
1.5
作者：
S. Koh;T. Kondo;Minoru Ebihara;Tetsuya Ishiwada;H. Sawada;H. Ichinose;I. Shoji;R. Ito
通讯作者：
R. Ito
通过分子束外延实现 GAAS/SI/GAAS (100) 异质结构中的亚晶格反转
影响因子：
1.5
作者：
S. Koh;T. Kondo;Tetsuya Ishiwada;C. Iwamoto;H. Ichinose;H. Yaguchi;T. Usami;Y. Shiraki;A. Ito
通讯作者：
A. Ito