Design principle of wide-gap fluoride hetero-structures for deep ultraviolet optical devices
Design principle of wide-gap fluoride hetero-structures for deep ultraviolet optical devices
复制标题
深紫外光学器件宽禁带氟化物异质结构设计原理
DOI：
--
复制
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T.Fukuda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R.E.Ouenzerfi;S.Ono;A.Quema;M.Goto;M.Sakai;N.Sarukura;T.Nishimatsu;N.Terakubo;H.Mizuseki;Y.Kawazoe;H.Sato;A.Yoshikawa;T.Fukuda
低电阻率 n 型金刚石半导体的供体氢配合物的从头算研究
影响因子：
1.5
作者：
T. Nishimatsu;H. Katayama‐Yoshida;N. Orita
通讯作者：
N. Orita
III-V族混合半导体和GaSb衬底上的AlGaSb/AlGaAsSb半导体激光器的能带结构和晶格常数图
影响因子：
1.5
作者：
A. Sasaki;M. Nishiuma;Y. Takeda
通讯作者：
Y. Takeda